Bumping

隨著先進封裝技術持續演進，凸塊（Bump）尺寸已微縮至 μbump 等級，並伴隨間距（Pitch）持續縮小，使製程控制與品質管理面臨更高挑戰。μbump 為 2.5D / 3D IC 與 HBM 等高密度堆疊架構中的關鍵結構，其品質與可靠性將直接影響接合完整性與整體良率表現。​

 在 μbump 製程中，凸塊直徑（Bump CD）、凸塊高度（Bump Height）以及共面性（Coplanarity） 為最關鍵的量測指標；同時，缺失凸塊、形貌異常、殘留物與粒子污染等缺陷檢測，亦為確保接合可靠性不可或缺的環節。隨著特徵尺寸持續微縮與互連密度不斷提升，製程對於檢測解析度、量測精度、重複性以及高量產製造穩定度的要求亦同步提高。​

 政美應用（CMIt）提供整合式的 μbump 檢測與量測解決方案，可於全晶圓／全面板範圍內執行精準的缺陷檢測與幾何量測。透過協助客戶即時監控製程變異並強化製程控管，CMIt 支援先進封裝應用穩定導入量產，實現高良率製造。​