Bumping

​随着先进封装技术持续演进，凸块（Bump）尺寸已微缩至微凸块（μbump）等级，并伴随间距（Pitch）持续缩小，使制程控制与品质管理面临更高挑战。μbump 为 2.5D / 3D IC 与 HBM 等高密度堆叠架构中的关键结构，其品质与可靠性将直接影响鉴合完整性与整体良率表现。​ 

在 μbump 制程中，凸块直径（Bump CD）、凸块高度（Bump Height）以及共面性（Coplanarity）为最关键的量测指标；同时，缺失凸块、形貌异常、残留物与粒子污染等缺陷检测，亦为确保键合可靠性不可或缺的环节。随着特征尺寸持续微缩与互连密度不断提升，制程对于检测解析度、量测精度、重复性以及高量产制造稳定度的要求亦同步提高。

政美应用（CMIt）提供整合式的μbump检测与量测解决方案，可于全晶圆／全面板范围内实现高精度缺陷检测与量测能力。透过协助客户即时掌握制程变异并强化制程控管，支援先进封装应用稳定导入量产，实现高良率制造。